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真空加熱腔體

真空加熱腔體鄭州科探儀器。測試腔體內部裝有不銹鋼加熱承載臺，臺面為50x50mm，臺面可升溫到350℃。該腔體設計有進氣口，抽真空接口和2-4芯信號真空電極，最多可選用6芯電極。使用時將需檢測的器件...
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小型真空探針臺

小型真空探針臺 KT-Z4019MRL4T是一款高性價比配置的真空高低溫探針臺，功能齊全，價格較低等特點。高溫400℃ 低-196℃ 測試噪聲小于5E-13A 可擴展上下雙透視窗口用于光電測試可...
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1000度高溫熱臺真空退火爐快速升溫爐

1000度高溫熱臺真空退火爐快速升溫爐主要用于在高溫下觀察和分析材料微觀結構的變化。這類設備能夠在控制的真空或氣氛環境中加熱樣品至高達1000度攝氏度，同時利用顯微鏡進行實時或實驗后的微觀結構觀察...
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真空度10－4分子泵組

150真空度10－4分子泵組，前級泵雙極4旋片真空泵，搭配150分子泵，空載極限壓強≤1X10-4Pa，FF-100/150型脂潤滑分子泵n 性能更優更全n 驅動一體設計n 功耗低發熱少n 體積小重量...
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小型真空高低溫探針臺

小型真空高低溫探針臺，高低溫真空探針臺，高溫400℃低溫-196℃，10微米探針尖，移動滑塊精度≤0.01mm
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小型等離子去膠機清洗機

小型等離子去膠機清洗機能夠改善材料表面的潤濕能力，使多種材料能夠進行涂覆、涂鍍等操作，增強粘合力、鍵合力，同時去除有機污染物、油污或油脂。本產品配備觸摸屏控制，操作更便捷，更智能。
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小型濺射儀

小型濺射儀鄭州科探KT-Z1650PVD，能夠在非導電或導電不良的樣品上涂布金（Au），鈀（Pd），鉑（Pt）和金/鈀（Au / Pd）的薄膜。在較短時間內即可形成具有細粒度的均勻薄膜，使樣品適用于...
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小型蒸鍍儀

小型蒸鍍儀KT-Z1650CVD是一款小型臺式加熱功率可控蒸發鍍膜儀，儀器雖小功能齊全，配備有電壓電流反饋,樣品臺旋轉，樣品高度調節，及電動擋板功能。通過定時調節預熱功率及蒸發功率，可對大部分金屬進...
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石英管真空封管機

石英管真空封管機是科探儀器自主研發的真空封管系統，操作簡單快捷，并且采用了*的旋轉密封法蘭，可以隨意調節和顯示試管的密封速度，同時無需手動轉動試管便可密封，大大提升了試管密封效率。
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氣體配比器

氣體配比器主要用于氣體流量測試,并按比例混合氣體,為真空管式爐或手套箱營造特定要求的氣氛環境. 控制方式采用集成化模塊控制功能延伸性強根據客戶要求隨意添加氣路接頭采用全不銹鋼雙卡套快速接頭,方便連...
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多功能手動探針臺

多功能手動探針臺精巧型真空腔體測試腔主要用于氣體敏感材料或其他對環境敏感性材料中的電信號測試。測試腔體內部裝有不銹鋼加熱承載臺，臺面為φ30，臺面高可升溫到高400℃。臺面四周裝有微型3軸可移動鎢鋼探...
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氣體溫度控制儀氣體環境模擬

氣體溫度控制儀氣體環境模擬主要用于環境氣體模擬配比燃料電池氣體加濕材料表面改性濕度氣敏材料電學信號測試
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微型真空探針臺

微型真空探針臺設計有進氣口和抽真空接口其真空度用機械泵可達＜5Pa分子泵可達＜-3Pa。真空信號連接處使用高級真空電極信號接頭，保證氣密性及抗干擾性能。使用時將需將待檢測的器件方在加熱臺面，探針尖處由...
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銅靶材鍍膜濺射儀

以銅 (Cu) 濺射靶材為例.在制備銅濺射靶時,不可避免地會引入硫、鉛等其他雜質含量.微量的硫可以防止熱加工時晶粒尺寸增大或產生微裂紋;但當硫元素含量高于18 ppm時,會出現微裂紋;隨著兩種雜質元素...
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氣體溫度控制儀

氣體溫度控制儀的氣體從腔體底部向上經分布器以氣泡形式通過液層，氣相中的反應物溶入液相并進行反應，氣泡的攪拌作用可使液相充分混合。鼓泡塔結構簡單，沒有運動部件，適用于氣體加濕，氣液反應。
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超低溫真空半導體制冷臺

超低溫真空半導體制冷臺主要用于氣體敏感材料或其他對環境敏感性材料中的電信號測試。測試腔體內部裝有不銹鋼加熱承載臺，臺面為φ30，臺面可升溫到400℃。臺面四周裝有微型3軸可移動鎢鋼探針，特別適合微小未...
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氣體濕度控制儀

氣體濕度控制儀發生器系統主要用于環境氣體模擬配比燃料電池氣體加濕材料表面改性濕度氣敏材料電學信號測試該氣體配比器可以外接兩種或多種氣體,采用質量流量計控制氣體流量,氣路管道采用316拋光管制作...
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真空加熱腔體

真空加熱腔體主要用于氣體敏感材料或其他對環境敏感性材料中的電信號測試。測試腔體內部裝有不銹鋼加熱承載臺，臺面為50x50mm，臺面高可升溫到高350℃。
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About us

鄭州科探儀器設備有限公司

鄭州科探儀器設備有限公司是集開發、制造、經營為一體的材料創新型企業，如今公司的產品已經遍布國內大多數實驗室及*校，科探儀器已經成為老師同學歡迎和信任的品牌之一公司以科技創新為主，服務社會為宗旨，積極設計開發新型材料制備設備，奉獻于教育和科學，經過長期的研發和不斷地技術積累，擁有熱工，制造，控制相關技術10余項，為化學，物理，材料，電子，高分子工程，新材料制備和研發領域的科學研究提供了精良設備。公司通過和院校老師同學強強聯合，形成了有效的信息，技術交流平臺，為科探儀器了解市場需求提供了強有力的支持！。目前公司已研發生產產品十多個系列幾十款產品，產品囊括實驗電爐、CVD供氣系統、等離子清洗機、小型離子濺射儀、小型蒸鍍儀等，主要適用于科研院校及工礦企業在新材料、新能源等領域物理特性及化學特性的研究，廣銷于各大院校，及材料研究所。公司與國內高校，科研院所有多層次的合作關系，建有開放實驗室，相關領域的教授、高級工程師、博士參與公司產品的研究和開發。我們秉承公司的發展理念，依靠嚴謹的技術研發能力，科學合理的生產工藝，精益求精的制造要求，全心全意做好產品質量和服務工作，科探儀器時刻懷著一顆真誠的心期待與您的合作。

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2025
9-9

微型真空探針臺可支持多次重復測試
微型真空探針臺相較于傳統大型設備，微型化設計大幅降低了體積與重量，便于實驗室靈活配置及移動使用，提升了工作效率。集成化的控制系統簡化了復雜流程，用戶界面直觀易懂，即使非專業人員也能快速掌握基礎操作，降低了技術門檻。采用耐用型高精度金屬針頭，支持多次重復測試而不影響數據穩定性，既節約成本又保障結果可靠性。廣泛應用于物理、化學、材料科學等領域，尤其在集成電路制造過程中發揮關鍵作用，例如檢測芯片內部短路/斷路缺陷，優化半導體器件性能。微型真空探針臺的測定步驟：1.準備工作-設備檢查...
2025
9-3

微型真空探針臺的使用注意事項
微型真空探針臺的核心在于其能夠創造并維持一個高真空狀態的密閉空間(即真空室)。在這一環境中，氣體分子少，有效消除了空氣阻力、振動以及雜質污染等干擾因素，為精密測量提供了理想條件。設備配備由鎢絲或碳纖維制成的納米級探針尖部，這些探針通過機械控制系統實現三維空間內的準確移動。研究人員可借此在芯片或其他微觀樣品表面進行點對點的電學參數采集，如電阻、電流分布等。結合溫控模塊后，該裝置還能模擬特殊的溫度環境(從液氮低溫到數百攝氏度高溫)，動態分析材料在不同熱力學條件下的性能變化。微型真...
2025
8-11

氣體濕度在各領域中發揮著關鍵作用
氣體濕度控制憑借科學的原理，在各領域發揮關鍵作用，其諸多優點助力產業升級、成本降低、質量提升，隨著技術發展，未來必將在更多新興領域拓展應用，持續為社會創造更大價值。在眾多工業、科研及日常生活場景中，對氣體濕度進行準確控制至關重要。適宜的氣體濕度不僅能確保生產過程的順利進行、提升產品品質，還能延長設備使用壽命、降低能耗。氣體濕度控制的優點：(一)提高產品質量在電子芯片制造中，嚴格控制氣體濕度可防止芯片表面凝露，避免腐蝕電路、影響光刻精度；食品加工環節，適度濕度控制能防止食品受潮...
2025
8-4

氣體濕度控制的兩種基本原理
氣體濕度控制的兩種基本原理：(一)濕度測量原理1.露點法：通過將氣體冷卻，直至氣體中水蒸氣達到飽和并凝結成露珠，記錄此時的溫度即為露點溫度。利用氣體在露點前后物理性質變化，結合相關公式可計算出氣體濕度。例如，在壓縮空氣系統中，當氣體被逐步冷卻，借助光學傳感器準確捕捉露珠出現瞬間，進而確定露點，為濕度控制提供關鍵數據。2.電容式濕度測量：基于濕敏電容原理，濕敏材料吸濕后介電常數改變，導致電容值變化。通過檢測電容變化量，經校準換算得出氣體濕度。像在一些高精度的半導體制造車間，電容...
2025
7-8

金屬磁控鍍膜的相關知識普及
金屬磁控鍍膜質量高，膜層組織細密，粗大的顆粒少，相比電弧離子鍍膜，其膜層質量更高。并且膜層與基材的結合力強，優于真空蒸發鍍膜，因為磁控濺射鍍膜技術中膜層粒子的能量較高，能夠在基材表面形成更牢固的結合；可以制備多種材料的薄膜，包括金屬、合金、氧化物、氮化物等，滿足不同領域對不同材料薄膜的需求。由于磁場的作用，等離子體的穩定性得到提高，使得鍍膜過程更加穩定，有利于獲得均勻、致密的薄膜；通過調整工藝參數，如電壓、電流、氣體流量、磁場強度等，可以準確控制薄膜的厚度、成分、結構和性能，...
2025
7-1

金屬磁控鍍膜是一種物理氣相沉積(PVD)技術
金屬磁控鍍膜是一種物理氣相沉積(PVD)技術，以下是其基本工作原理：1.濺射基礎：在真空室內，通入惰性氣體(通常是氬氣)，并通過電場使其電離，形成等離子體。等離子體中帶正電的氬離子在電場加速下，猛烈地撞擊靶材表面。這些高能氬離子與靶材原子碰撞時，將自身能量傳遞給靶材原子，使靶材原子獲得足夠能量，從而脫離靶材表面，這一過程就叫做“濺射”。2.磁場作用：磁控濺射與傳統濺射的區別，就在于引入了磁場。磁場的存在使得電子在運動過程中受到洛倫茲力的作用，其運動軌跡發生改變，增加了電子的路...

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技術文章

濺射蒸鍍靶材的選擇

直流磁控濺射儀濺射方式是調動靶材內磁場，使金屬離子轟擊到樣品表面的鍍膜方式。目前只能支持金屬靶材。已經測試過的靶材有金、銀、銅、鉻、鎳、鋁、以及部分合金(鎳鐵合金)。靶材正常是2mm，不帶磁性的話最多5mm，帶磁性的不要超過2mm，否則會有干擾。以下是對一些特殊金屬鍍膜要求:銅：正常顏色為藍綠色，或灰色偏綠。鋁:鍍鋁推薦使用高真空分子泵。真空時間抽長一些，測試時間60s，電流500，真空度3-5pa，等電壓上升到250以上時，可以調小電流，調小真空，白光鍍不上，正常顏色為紅色...

2025-9-27
封管機真空封管原理

真空封管機，是一種用于在高真空或特定保護氣氛（如氬氣、氮氣）環境下，將石英玻璃管（偶爾也用于特種玻璃管）熔融密封的實驗或生產設備。一、核心原理分解1.抽真空與置換氣氛這是整個過程的先決條件，目的是創造一個無氧、無水、無其他干擾氣體的純凈環境。連接系統：將裝有樣品的石英管（一端預先開口）通過真空橡膠管或金屬波紋管連接到真空封管機的抽氣系統上。石英管的開口端會伸入封管機的加熱區（通常是氫氧焰或大功率電加熱圈）。抽真空：啟動真空泵（通常是機械泵+分子泵組成的高真空系統），將石英管內...

2025-9-25
半導體制冷臺采用了一種熱電效應現象

半導體制冷臺的核心在于利用帕爾貼效應(PeltierEffect)，這是一種熱電效應現象。當兩種不同類型的半導體材料——N型和P型半導體被連接成電偶并通入直流電時，會在兩端產生溫度差異。具體來說，電流方向是從N型流向P型的區域會吸收熱量(冷端)，而從P型返回N型的區域則釋放熱量(熱端)。這種能量轉移過程使得一側能夠實現降溫，另一側則升溫。為了增強制冷效果，實際使用的半導體制冷片內部由數百個這樣的電偶組成熱電堆結構，通過疊加作用大幅提升了整體的效率。半導體制冷臺的使用注意事項：...

2025-9-23
半導體制冷臺的基本操作，新手不得不看

半導體制冷臺環保無污染，由于不依賴氟利昂等有害化學物質作為工作介質，因此不會對環境造成破壞，也無需擔心泄漏問題。這使得它在需要嚴格控制污染的場景中具有明顯優勢；沒有運動部件的設計消除了機械噪音源，同時減少了設備運行時的震動幅度，非常適合用于對穩定性要求高的精密儀器環境。得益于其緊湊的結構設計，半導體制冷裝置可以做到極小尺寸(如小于50mm×3mm)且重量輕(低于1g)，便于集成到空間受限的應用場合；同一設備既能用來制冷也能切換為制熱模式，只需改變電流方向即可實現功能轉換，大大...

2025-9-17
氣體質量流量控制器的養護方式

氣體質量流量控制器作為精密流體控制設備，廣泛應用于半導體制造、生物醫藥、化工實驗等領域，其穩定性與精度直接影響生產工藝效果?？茖W的養護可顯著提升設備壽命、保障測量精度，以下從日常檢查、定期校準、清潔保養、特殊場景維護四方面闡述系統化養護方案。一、日常檢查：實時監控運行狀態每日開機前需執行基礎巡檢：觀察面板顯示是否正常，確認無報警代碼；檢查氣路接口是否松動或漏氣(可用肥皂水涂抹檢測)；核實工作電壓與電流參數是否符合設備標稱值。若配備過濾器，需查看壓差指示器，當阻力超過閾值時應及...

2025-9-17
高壓功率器件的測試

高壓功率器件的測試主要分為三類：1.靜態參數測試（DC測試）：目的：測量器件在穩定導通或關斷狀態下的性能。方法：施加直流電壓或電流，測量其響應。關鍵參數：擊穿電壓(Vbr)、漏電流(Idss)、導通電阻(Rds(on))、閾值電壓(Vth)、輸出特性曲線(I-V曲線)。2.動態參數測試（Switching測試）：目的：測量器件在高速開關過程中的性能，這是評估開關損耗和EMI的關鍵。方法：給器件施加高頻的脈沖信號，使用示波器捕捉電壓和電流的瞬態波形。關鍵參數：開關時間（開啟延遲...

2025-9-4
適用于拉曼測試的微型探針臺及平移臺

拉曼光譜是一種基于拉曼散射效應的分子振動光譜技術，通過分析散射光頻率變化揭示物質分子結構信息。其核心原理是入射光與分子相互作用后發生非彈性散射，產生頻率偏移的拉曼位移（通常為斯托克斯線或反斯托克斯線），該位移對應分子振動/轉動能級躍遷。拉曼光譜測試需要使用單色光作為光源，通常使用激光作為激發光源。在測試樣品時需要顯微鏡盡可能靠近樣品，使激光光斑最小化，從而測出理想的效果（一般50X鏡頭即可）；在測試時需要注意保護顯微鏡鏡頭，確保在加熱狀態下因為鏡頭離得太近，熱對流加熱鏡頭，導...

2025-8-30
真空鍍膜中 Z因子和工具因子是什么？

在濺射鍍膜工藝中，z因子和工具因子(Tooling值)是兩個關鍵參數，分別用于描述薄膜沉積行為和修正設備誤差。以下是具體解析:一、z因子的定義與計算1.概念:z因子是描述薄膜沉積過程中粒子行為的參數，反映粒子在氣相中的擴散程度，直接影響薄膜的粒子尺寸分布和性能優化。2.計算公式:二、工具因子(Tooling值)的定義與計算1.概念:工具因子是量化鍍膜機內基片與蒸發源(或濺射靶材)相對位置關系的參數，用于修正膜厚誤差，確保沉積速率的空間分布均勻性。2.計算邏輯:薄膜厚度(t)與...

2025-8-29